Shenzhen Best LED Opto-Electronic Co., Ltd 365нм-ден 1550нм-ге дейінгі әртүрлі толқын ұзындығы бар жарықдиодты түрлерін ұсынады. Инфрақызыл LED үшін, толқын ұзындығы болуы мүмкін: 660нм 680nm 690nm 700nm 710nm 720nm 730nm 740nm 750nm 760nm 770nm 780nm 800nm 810nm 820nm 830nm 850 нм 860nm 870nm 880nm 890nm 900nm 905nm 910nm 920nm 940nm 950nm 970nm 980nm 1000nm 1020nm 1050nm 1200nm 1300nm 1500nm 1550нм. Ультрафиолет жарық диодты сәулелер үшін толқын ұзындығы 365нм 370нм 380нм 390нм 400нм 410нм 420нм 430нм және т.с.с болуы мүмкін, сонымен қатар AlGaAs / AlGaAs инфрақызыл чипі жасайтын басқа толқын ұзындығы бар . Бұл жарықдиодтар тұрақты жұмыс істейді және ұзақ қызмет етеді.3528 SMD LED 750nm GaAs технологиясындағы GaAlAs-де жоғары тиімділікті инфрақызыл сәуле шығаратын диод, мөлдір, ақ түсті қара түсті пластикалық пакеттерде қалыпталған. Толқын ұзындығының 100% радиустық қуатын жақсарту. Төменгі және жоғары импульстік токтағы тікелей кернеулер шамамен стандартты технологияның төмен мәндеріне сәйкес келеді. Сондықтан бұл эмитенттер стандартты эмитенттердің өнімділігі жоғары алмастырғыштары ретінде өте қолайлы. Қызыл нүктелік инфрақызыл жарық диодты толқын ұзындығына ± 10нм тең. IR жұбы

- өлшем параметрлері -

Бұл SMD жарықдиодты жарық диодты шамдар, ультрафиолет светодиод, көк SMD светодиод, қызыл SMD светодиод, қызыл сары шам және т.б.

- Шығаратын түс -

- электрлік параметрлер -

Ta = 25 абсолюттік Ең Рейтинг ℃

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	270mW
Pulse Forward Current	IFP	350mA
Forward Current	IF	100mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	2000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Оптикалық және электрлік сипаттамалары ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	2.2		2.7	V	IF=100mA
Pulse Forward Voltage	VF		3.6		V	IFP=350mA
Radiant Intensity	IE	50		70	mw/sr	IF=100mA
Peak Wavelength	λP	750	755	760	nm	IF=100mA
Total Radiated Power	PO		5.6		mw	IF=100mA
Half Width	Dl		50		nm	IF=100mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=100mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
Rise Time	Tr		25		ns	IF=100mA
Fall Time	Tf		13		ns	IF=100mA
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- 750нм жарықдиодты -

- Алтын сым қосылымы -

* Жарықдиодтың әрқайсысының ұзақ қызмет етуін қамтамасыз ету үшін BestLED зауыты ішкі тізбекке қосылу үшін жоғары таза алтын сымды қолданады

- Қаптама -

* Біз оны катушкадан кейін вакуумдық ораммен орап аламыз, оны катушка түрінде өткіземіз

-Қолдану-

- қатысты IR жарық диодты -

- 750нм жарықдиодты пайдалану -